迟建华
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骆旭梁
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王思源
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付传起
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王宙
材料保护
为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜.采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随基板温度升高,薄膜的晶粒大小和晶化率呈先增大后减小的趋势,基板温度为150℃时,晶粒尺寸显著增大,达0.45 μm左右,且具有较高的结晶度,薄膜晶化率可高达94.95％.
关键词:
多晶硅薄膜
,
基板温度
,
磷掺杂
,
真空蒸镀
,
晶化率
骆旭梁
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王思源
,
王宙
,
雍帆
,
付传起
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1％时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82％,且晶粒的均匀性最佳.
关键词:
真空蒸镀
,
多晶硅薄膜
,
磷掺杂
,
晶化率
