材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

Si(100)衬底上SiC的外延生长

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.020

在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.

关键词: Si , SiC , 外延生长 , 表面再构 , Raman光谱

CdS0.1Se0.9纳米晶体的电光性质

孙萍 , 王引书 , 王若桢 , 林永昌

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.016

对嵌埋于玻璃基体中的(dS0.1 Se0.9纳米晶体进行了室温电调制透射谱测量,观察到较强的共振和非共振电光响应信号(10-4～10-3).共振电光响应具有如下特征:同一组分的纳米晶体其信号的峰位随着尺寸减小向高能方向移动;同一样品谱线形状不随外电场强度而变;信号幅度与外电场强度的平方成线性关系,并且随调制频率的增加而减小;共振电光效应的物理机制是量子受限的Stark效应.非共振电光响应信号呈与波长有关的振荡线形;外电场强度增加,非共振电光响应信号幅度也增加;用介电受限的局域场增强理论解释了非共振电光效应的物理机制.

关键词: CdSxSe1-x , 电调制透射谱 , 纳米晶体 , 电光效应