王廷富
,
潘庆谊
,
金永林
,
张剑平
,
程知萱
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.007
以InCl3@4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜.同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系.膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62.XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除.SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础.
关键词:
溶胶-凝胶
,
浸渍-涂布
,
薄膜
,
氧化铟
潘庆谊
,
程知萱
,
张剑平
,
王廷富
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.05.001
以InCl3·4H2O为原料,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2O3.利用XRD,TEM,TG-DTA等测试手段对纳米级In2O3的晶粒生长过程进行了研究.计算表明:随着煅烧温度的升高,平均晶粒度增大,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少.表明粒子越小,晶格畸变率越大,晶粒发育越不完整.应用相变理论计算得温度低于500℃煅烧1h,晶粒生长活化能为4.75kJ·mol-1,高于600℃时,晶粒生长活化能为66.40kJ·mol-1.TEM分析表明:加入适量形貌控制剂,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善.
关键词:
In2O3
,
纳米粉末
,
溶胶-凝胶法
,
晶粒生长
