王庆宇
,
王成龙
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2016.01.025
SiC材料由于具有优良的物理化学性质而在工程领域得到广泛应用.但在辐照条件下,Frenkel缺陷势必影响材料的宏观性质.尤其在核能工程领域,辐照无法避免,而传热性质是材料的关键性质之一.本文采用分子动力学方法模拟了SiC材料晶界导热性质在辐照缺陷存在条件下的变化规律.研究结果表明,晶界扭转角度越大,...
关键词:
分子动力学
,
SiC
,
晶界
,
热导
,
辐照损伤
