孙涛
,
王庆学
,
陈文桥
,
梁晋穗
,
陈兴国
,
胡晓宁
,
李言谨
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.007
HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层.
关键词:
HgCdTe
,
应力
,
钝化
,
三重晶X射线衍射
,
倒易空间作图
王庆学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.018
本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度.结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流.同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性.由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动.通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术.
关键词:
电荷泵
,
超薄栅氧化
,
CMOS
,
HLMF
,
ABTP
王庆学
,
魏彦锋
,
方维政
,
杨建荣
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.025
采用高分辨 X射线衍射的倒易空间图研究了 HgCdTe/CdZnTe(- 0.044%晶格失配 )液相外 延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的 10μ m厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉 衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了 0.01°的偏离,但是,由于外延层中存在 着组分梯度以及衬底和外延层热膨胀系数存在着差异,界面处外延层中仍存在着应力和应变.对 称衍射和非对称衍射的实验结果均显示外延材料的倒易空间图沿垂直于散射矢量方向有所扩展, 这一结果表明晶格失配的弛豫使得界面处外延层的晶体结构呈镶嵌结构.实验也发现,外延层的 非对称衍射倒易空间图的扩展偏离散射矢量方向,根据弛豫线模型,这也是由于界面处外延层存在 组分梯度和应变梯度所造成的.
关键词:
HgCdTe/CdZnTe
,
倒易空间图
,
弛豫线模型
