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掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用

王岩国 , 张泽

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.01.008

用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布.结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失.表明铌原子占据了界面处氧离子空位,消除了电荷聚集在界面处的分布状态.有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷,达到调制导电陶瓷材料电学性能的目的.

关键词: 界面 , 电子全息 , 势场 , 钛酸锶 , 金属掺杂

Cu/MgO界面位错的高分辨电子显微镜研究

刘红荣 , 蔡灿英 , 杨奇斌 , 王岩国

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.002

用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了取向关系相同的两种不同界面.并运用近重位点阵模型对其界面结构进行了研究,求出了失配位错的3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量,它们分别为:b3=1/4[011]MgO,b2=1/2[100]Cu,b3=1/4[011]MgO;b1＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b2＇=1/12[101]Cu(或1/99[755]MgO),b3＇=1/6[010]Cu(或1/10[011]MgO)失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好.

关键词: Cu/MgO界面 , 近重位点阵 , 失配位错

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