王宁娟
,
刘忠立
,
李宁
,
张国强
,
于芳
,
郑中山
,
李国花
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.004
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.
关键词:
SOI
,
MOSFET
,
辐射加固
,
离子注入
丁瑞钦
,
王浩
,
佘卫龙
,
王宁娟
,
于英敏
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.006
应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P和 In的氧化物的含量都比用方法2的少得多X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温 (520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理
关键词:
InP/SiO2纳米复合膜
,
化学组分
,
微观结构
,
光致发光
