程峰
,
钟玉荣2
,
王宝义
,
王天民3
,
魏龙
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00749
采用真空热蒸发法制备了CsI(Tl)薄膜, 然后进行了不同温度的真空热处理．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(Tl)薄膜样品进行了分析, 并测得了样品的光产额．结果表明, 该CsI(Tl)薄膜沿(200)晶面择优取向生长．经过较低温度退火, CsI薄膜中的Tl+离子向薄膜表面扩散, 薄膜中缺陷数量增加, 且尺寸较大, 光产额略微增高．经过250℃退火, 薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复, 薄膜缺陷尺寸变小, 且数目减少, 具有较好的结晶状态, 光产额提高．经过400℃退火, 薄膜结构发生显著变化, 薄膜中缺陷大幅增加, 结晶状态变差, Ti+含量减少, 光产额急剧下降．
关键词:
CsI薄膜
,
microstructure
,
scintillation properties
