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溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

宋超 , 杨瑞东 , 冯林永 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 王国宁 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.

关键词: 离子束溅射 , Ge薄膜 , Ar+能量 , 结晶性

溅射功率和气压对CdTe薄膜结晶性的影响

王国宁 , 杨宇 , 孔令德 , 姬荣斌 , 张曙

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.04.020

用射频磁控溅射在普通玻璃衬底上制备CdTe薄膜.采用XRD对制备出的薄膜进行分析研究;并讨论了溅射气压、溅射功率对薄膜结晶性的影响.进一步研究表明:溅射气压低时溅射功率对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射气压高时要大;溅射功率低时溅射气压对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射功率高时要小.并对造成上述结果的机理进行了初步的理论探讨.

关键词: 磁控溅射 , CdTe薄膜 , 功率 , 气压 , 结晶性

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