王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
杨建荣
,
于梅芳
,
杜美容
,
乔怡敏
,
郭世平
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
关键词:
ZnSe
,
MBE
,
生长控制
,
掺杂控制
王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
李标
,
杨建荣
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017
为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。
关键词:
ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量
