李忠辉
,
王向武
,
张宝顺
,
杨进华
,
张兴德
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
关键词:
分别限制结构
,
单量子阱
,
激光器
