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硬质合金基体上钛过渡层碳化条件对金刚石薄膜附着力的影响

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 马志斌 , 王升高 , 傅朝坤 , 李克林 , 康志成

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.037

以WC-6%Co为基体,采用磁控溅射法,在酸蚀后进行氢等离子体脱碳试样上制备Ti过渡层,然后碳化过渡层为TiC.在电子辅助热丝化学气相沉积装置中制备金刚石薄膜.研究碳化条件对金刚石薄膜与基体附着力的影响.结果表明,在700℃左右的低温碳化,TiC结构致密,而在850℃左右的高温碳化,TiC呈疏松的多孔组织,在CH4-Ar等离子体中碳化则850℃左右仍能获得致密的TiC层.在致密的过渡层上沉积的金刚石薄膜具有更高的附着力.

关键词: 硬质合金 , HFCVD , 金刚石薄膜 , Ti过渡层

金刚石薄膜生长速度研究

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 马志斌 , 王升高 , 傅朝坤 , 李克林 , 康志成

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.007

在电子辅助热丝CVD中,研究刀具预处理对金刚石薄膜生长速度的影响.在保持生长条件不变的前提下,经酸腐蚀处理的刀具的侧、背面镀铜能使金刚石薄膜的生长速度从没有镀铜时的4μm/h增加到镀铜后的10.6μm/h.镀铜处理提高了刀具的电导率,使得热丝发射的电子在偏压电场的作用下,在刀具表面附近聚集,加速氢气和丙酮的裂解,从而提高金刚石薄膜生长速度.SEM和Raman测试结果表明,高速生长的金刚石薄膜仍然具有很高质量.

关键词: 金刚石薄膜 , 生长速度 , 镀铜 , 硬质合金

采用正交法研究金刚石偏压形核

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 王升高 , 马志斌 , 康志成 , 吴素娟

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.02.003

在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si(100)面上的偏压形核过程中,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响,研究结果表明:形核密度随形核时间的增加而增加,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核,而甲烷浓度的影响很小.正交试验所得的最佳形核条件为偏压-150V;时间12min;气压4kPa;CH4比率5%,在该条件下金刚石的形核密度达到1010个/cm2.

关键词: 化学气相沉积 , 正交试验 , 金刚石 , 形核

低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究

王传新 , 汪建华 , 马志斌 , 满卫东 , 王升高 , 康志成 , 吴素娟

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.001

在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露.过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露.

关键词: 化学气相沉积 , 低偏压生长 , 金刚石薄膜 , 图像

微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜

陈金民 , 黄志良 , 刘羽 , 王升高

功能材料

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜.通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒.相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃.

关键词: 微波等离子体 , VO2 , 氮杂二氧化钒 , 相变温度

集成纳米碳管电极的电化学检测性能

王升高 , 李艳琼 , 赵修建 , 汪建华 , 韩建军 , 王涛

材料导报

电极的机械稳定性对电极电化学检测性能的长期稳定性非常重要.利用微波等离子体化学气相沉积法在玻璃基板上集成了纳米碳管电极,并利用该电极对溶液中的邻苯二酚进行了电化学检测.结果表明,经氧等离子体处理的纳米碳管电极具有良好的电化学检测性能,且由于该电极直接集成在玻璃基片上,良好的结构稳定性赋予该电极极为优异的重现性和长期稳定性.

关键词: 集成纳米碳管电极 , 微波等离子体化学气相沉积法 , 电化学检测

微波等离子体增强法合成氮杂二氧化钒

陈金民 , 黄志良 , 刘羽 , 王升高

钢铁钒钛 doi:10.3969/j.issn.1004-7638.2007.02.002

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了氮杂二氧化钒(VO2-xNy)样品.通过XRD表征了样品的成分,结果表明:合成的样品为氮杂二氧化钒,样品的结晶度较低,颗粒尺寸较小;相变温度测试结果表明:通过氮掺杂可以有效降低二氧化钒薄膜的相变温度,目前最低可以降低至42 ℃.

关键词: 微波等离子体增强 , 氮杂VO2-xNy , 薄膜 , 相变温度

纳米碳管阵列

王升高 , 汪建华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.023

在概括纳米碳管阵列特异的场发射效应及在场发射器方面应用前景的基础上,介绍了合成纳米碳管阵列的研究历程以及化学气相沉积法在纳米碳管阵列合成方面的重要意义,就当前纳米碳管阵列的快速合成与低温合成两个发展方向进行了概述,并指出等离子体化学气相沉积法能有效地用于纳米碳管阵列的低温合成.

关键词: 纳米碳管阵列 , 化学气相沉积法 , 场发射效应

纳米碳管及其合成

王升高 , 汪建华

材料导报

阐述了纳米碳管的结构,包括纳米碳管石墨层堆垛形式,帽状结构以及表征纳米碳管结构的直径和螺旋性,并对纳米碳管的三种主要合成方法及其合成原理、影响因素进行了简单的分析.

关键词: 纳米碳管 , 结构 , 合成

利用钛铁矿制备纳米碳管/碳化钛复合粉体材料的工艺

程莉莉 , 王升高 , 许传波 , 杜宇 , 陶涛 , 汪建华

材料热处理学报

以钛铁矿为原料,在等离子体和微波场的分步作用下,制得了纳米碳管,碳化钛复合粉体材料.通过研究纳米碳管的等离子体生长工艺和微波强制碳化工艺,得出了合理的制备条件:制备纳米碳管的条件为微波功率550W,腔体内压强5kPa左右,CH_4流量2.3mL·min~(-1),H_2流量45mL·min~(-1),处理时间40min.强制碳化处理阶段,微波功率900W,时间20min.结果表明,纳米碳管/碳化钛复合镀层具有较高的硬度和较小的摩擦系数.

关键词: 钛铁矿 , 纳米碳管 , 碳化钛 , 复合镀层

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