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nc－ Si/a－ SiOx:H复合薄膜的结构及光吸收特性

郭震宁 , 郭亨群 , 王加贤 , 张文珍 , 李世忱

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.015

采用 PECVD技术制备的 a－ SiOx:H (0 SiOx:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiOx:H）。利用 TEM技术， Raman散射谱和光吸收谱等 , 较系统地研究了该复合膜的膜结构和光吸收特性。实验结果表明：纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构， 颗粒大小随退火温度升高而增大。复合膜光吸收边随纳米硅颗粒尺寸的减小发生了蓝移，表现出 明显的量子限域效应。

关键词: nc－Si/a－SiOx:H复合膜 , PECVD技术 , 热退火 , 光吸收

Highly controllable ICP etching of GaAs based materials for grating fabrication

邱伟彬 , 王加贤

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/026001

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