孙殿照
,
刘宏新
,
王军喜
,
王晓亮
,
刘成海
,
曾一平
,
李晋闽
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).
关键词:
氮化镓
,
GaN
,
分子束外延
,
二维电子气
,
极化
魏同波
,
王军喜
,
李晋闽
,
刘喆
,
段瑞飞
稀有金属材料与工程
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等.结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1 MPa,弹性模量为299.5 GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿.
关键词:
GaN
,
MOCVD
,
形貌
,
机械性能
魏同波
,
王军喜
,
刘喆
,
李晋闽
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.04.014
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N.
关键词:
无机非金属材料
,
GaN
,
CL
,
RBS/沟道
,
临界载荷
