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氚在硅中的无载体加载行为

胡睿 , 张华明 , 谢波 , 王关全

材料导报

硅是供电(光)器件制作中重要的换能功能材料,为了选择国内采用放射性同位素氚研制辐射伏特效应核电池的加栽方法,从多孔硅的制备方法出发,详细介绍了国外开展的氚在多孔单晶硅、无定型硅上的无载体加载工作,并结合其实验结果,理论分析了氚在硅表面的化学键合方式与释放行为.分析结果表明:为了得到较高的含氚量,在采用多孔单晶硅加载氚时,不仅要提高反应体系中氚的含量,还应提高硅的表面孔密度;在用无定型硅加载氚时,应控制好氚的沉积条件;新制作的氚化硅核电池在额外放电几天后才有稳定的电输出.

关键词: , , 加载

基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化

胡睿 , 熊晓玲 , 王关全 , 魏洪源 , 张华明 , 杨玉青

材料保护

传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合.以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15 h,偶联处理48 h,再在化学镀液中于90℃下施镀1 h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2·h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良.

关键词: 化学镀镍 , 自组装单分子层技术 , 单晶硅 , 正交试验

小体积化学镀镍工艺

胡睿 , 张华明 , 熊晓玲 , 王关全 , 杨玉青 , 刘国平

电镀与涂饰

以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2 mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响.结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77℃,反应2 h的条件下,镀层沉积速率快,含镍量高于72%,且颗粒分布均匀、密实.

关键词: 不锈钢 , 化学镀镍 , 酸度 , 沉积速率

低浓度硝酸镍间接化学镀镍工艺的研究

胡睿 , 杨玉青 , 王关全 , 熊晓玲 , 张华明

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.020

在传统化学镀镍工艺中,硝酸镍不是直接施镀的主盐,但在一些特殊使用需求的情况下只能使用硝酸镍作原料.研究了以硝酸镍为原料,通过不同的沉淀剂,采用离心-沉淀-再溶解法以及灼烧法将硝酸镍转化成硫酸镍,将硝酸根去除后间接实现化学镀镍.研究结果表明:采用草酸工艺可以得到镍离子转化率高、硝酸根除去效果好的硫酸镍溶液,采用该溶液配制的化学镀镍液制备出的镀层具有均匀、致密,粒径1~2μm,双面沉积量大于5mg/cm2,含镍量72%以上等特征.

关键词: 化学镀镍 , 硝酸镍 , 镀层

利用偶联技术制备核电池用镍膜的工艺初探

胡睿 , 魏洪源 , 熊晓玲 , 张华明 , 王关全 , 杨玉青

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.019

曲面换能单元的核电池中镍-63的加载难以用常规源片加载法实现.采用偶联技术,对功能高分子膜的表面用偶联剂改性后进行活化处理,初步制备了镀有非放镍的高分子薄膜,并分析了此工艺的反应机理.采用该工艺可避免常规化学镀镍方法中试剂对半导体材料的损伤.

关键词: 核电池 , , 加载

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