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GaN MOCVD生长机制的量子化学计算

张禹 , 王克昌 , 张荣 , 谢自力 , 韩平

材料导报

综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.

关键词: GaN , MOCVD , 量子化学计算 , 生长模型