王光伟
,
李和平
,
徐丽萍
,
张磊
,
单双明
,
汪日平
功能材料
借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜,研究了Pt/YSZ电极烧制工艺条件对其性能的影响.研究表明,制作Pt/YSZ电极时烧结温度越高,电极阻抗越大,氧传感器响应越慢,但O2的电极还原反应速率控制步骤(＞600℃,吸附氧原子Oatm在Pt表面向YSZ的扩散过程;＜500℃,气相O2分子在Pt/YSZ界面附近的解离吸附过程)未发生变化;电极烧结的升/降温速率对电极阻抗和氧传感器响应时间有显著影响,降温速率增大还会使电极反应激活能发生突变(＞600℃,激活能由169kJ/mol突然增至(217±4)kJ/mol);当Pt/YSZ电极工作温度＜500℃时,其最优烧制工艺为烧结温度700℃,升/降温速率0.5～1℃/min.
关键词:
Pt/YSZ电极
,
阻抗谱
,
烧结温度
,
升/降温速率
王光伟
,
姚素英
,
王雅欣
,
刘颖
材料导报
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率.但场强超过某临界值后该速率降低.基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释.结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线.
关键词:
电场增强横向诱导结晶
,
扩散
,
电迁移
,
晶粒长大
王光伟
,
李和平
,
徐愿坚
,
徐丽萍
,
张磊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.22.031
采用两种极化方式研究了电化学极化对YSZ氧传感器中常用贵金属电极性能的影响,提出了电极阳极和阴极极化模型。研究表明,在500℃和空气条件下,Ag和Pd可通过体扩散和形成氧化物的方式实现高效的氧传质,电极性能较好；离子导体 YSZ的引入,可使Pt 电极有效反应界面得以扩展,电极性能得到增强；Ag-2%Pt 电极较 Ag 电极性能低,较 Pt电极阳极活性有所增强；Au电极极化时主要通过吸脱附和扩散进行氧转移,效率较低,尤其是阴极活性较低。
关键词:
电化学极化
,
YSZ氧传感器
,
贵金属
,
电极性能
王光伟
,
李和平
,
徐丽萍
,
张磊
,
张艳清
,
窦静
稀有金属材料与工程
借助计时电流法和扫描电镜,研究Pt/YSZ电极烧结条件对其性能的影响.结果表明,随着电极在850℃烧结时间的增加,电极孔隙减少,孔径增大,阳极电势阶跃极化后的稳定电流密度值先增大后减小,烧结时间为10 h时所制电极稳定电流密度值最大,活性最强;与烧结时间对电极性能的影响相似,当电极烧结时间为1 h时,烧结温度升高也会使得电极孔隙减少,孔径增大,阳极电势阶跃极化后的稳定电流密度值亦先增大后减小,烧结温度为1100℃时所制电极稳定电流密度值最大,性能最好.
关键词:
Pt/YSZ电极
,
烧结时间
,
烧结温度
,
计时电流
,
电流密度
王光伟
,
郑宏兴
,
马兴兵
,
张建民
,
曹继华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.
关键词:
锗硅薄膜
,
等离子体增强化学沉积
,
热退火
,
晶相成核与生长
王光伟
,
张建民
,
倪晓昌
,
李莉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.007
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理.简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用.概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等.对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释.
关键词:
金属诱导结晶
,
金属诱导横向结晶
,
固相反应
,
扩散
,
电场增强横向诱导结晶
,
成核激活能
,
晶粒生长
王光伟
,
姚素英
,
徐文慧
,
王雅欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112605.0582
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%.对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83 Ge0.17/n-Si肖特基结样品.在300～600℃范围内,对样品做快热退火.对不同退火温度下的样品做I-V-T测试.研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小.总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反.基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释.
关键词:
变温I-V测试
,
肖特基结
,
快热退火
,
理想因子
,
肖特基势垒高度的不均匀性
