王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.018
本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.
关键词:
分子束外延
,
晶格失配
,
晶向倾角
,
孪晶
王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.034
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.
关键词:
CdTe/GaAs
,
CdTe/Si
,
热应变
,
高分辨率多重晶多重反射X射线衍射
,
分子束外延
