于威
,
王保柱
,
孙运涛
,
韩理
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.019
采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP-CVD)技术在Si(100)和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外透射(FTIR)和原子力显微镜(AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在700℃的衬底温度和1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在3nm以下,红外透射谱主要表现为Si-C吸收.结果说明HWP-CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性,发光谱主峰位于395nm附近.
关键词:
纳米碳化硅
,
螺旋波等离子体
,
化学气相沉积
于威
,
朱海丰
,
王保柱
,
韩理
,
傅广生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.008
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律.实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀.
关键词:
螺旋波等离子体化学气相沉积
,
纳米硅薄膜
,
结构特性
王保柱
,
王晓亮
无机材料学报
doi:10.3724/sp.j.1077.2009.00559
利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金，通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金，材料生长过程中采用反射式高能电子衍射（RHEED）进行了在位检测. 通过扫描电镜（SEM）、卢瑟福背散射（RBS）、X射线衍射（XRD）和阴极荧光（CL）等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性. 研究结果表明：在GaN层上生长AlInGaN外延层时，外延膜呈二维生长；当铝炉的温度为920℃时，外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7，X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin，四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm，AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.
关键词:
铝铟镓氮
,
RF-MBE
,
structural properties
,
optical properties
王保柱
,
王晓亮
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00559
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测. 通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性. 研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.
关键词:
铝铟镓氮
,
分子束外延
,
结构特性
,
光学特性
王保柱
,
颜翠英
,
王晓亮
稀有金属材料与工程
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407 nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响.材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测,通过原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)等测试手段表征了InGaN量子点材料的结构和光学特性.结果表明,相对于直接在GaN层上自组织生长InGaN量子点,通过InN成核层技术可以获得高密度、高质量的InGaN量子点结构,量子点尺寸分布更加均匀,主要集中在35～45 nm之间；量子点的密度更高,可以达到3.2×1010/cm2；InN 成核层上生长的InGaN量子点的PL发光峰强度为直接在GaN层上生长的InGaN量子点的2倍,发光峰的半高宽较窄,为10 nm.
关键词:
铟镓氮
,
量子点
,
分子束外延
