谢涌
,
介万奇
,
王涛
,
崔岩
,
高俊宁
,
于晖
,
王亚彬
功能材料
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列.发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽＜500 μeV.通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni 模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优.3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3.
关键词:
ZnO
,
纳米线
,
光致发光
,
自由激子
,
束缚激子
,
X射线衍射
王亚彬
,
黄育红
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了CdTe(110)表面的原子和电子性质.结果表明,CdTe(110)理想表面在禁带中出现两个明显的表面态,弛豫后表层Cd原子和Te原子p态电子发生转移,Cd原子趋向于sp2平面杂化构型,Te原子趋向p3杂化的锥形构型.经过表面弛豫大大降低了表面能,增大了表面功函数,表面占据态和表面空态分别被推进价带顶之下和导带底之上,导致弛豫表面没有明显的表面态.
关键词:
密度泛函理论
,
表面原子结构
,
表面态
,
表面功函数
,
CdTe
杨杨
,
王领航
,
介万奇
,
王亚彬
,
傅莉
人工晶体学报
对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加.相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.
关键词:
HgInTe
,
化学抛光
,
腐蚀速率
,
表面粗糙度
