王超
,
贺跃辉
,
彭超群
,
王世良
,
刘新利
中国有色金属学报
一维W纳米材料是一种新型的场发射材料,具有优异的场发射性能.介绍场致电子发射的基本原理及性能评价标准；讨论一维W纳米材料的6种制备方法:气相沉积法、电子束诱导法、蚀刻法、溅射法、自组装法和模板法；分析不同制备方法对场发射性能的影响；指出电场增强因子是决定一维W纳米材料场发射性能优劣的首要因素,设计制造出结构可靠、场发射性能优异、成品率高以及寿命长的一维W纳米材料器件是未来的研究重点.
关键词:
一维材料
,
W
,
纳米材料
,
场发射性能
,
可控制备
王世良
,
贺跃辉
,
材料科学与工程学报
金属催化合成法是合成一维无机纳米材料最重要、最成功的方法.本文以生长机理(包括气-液-固、气-固-固、溶液-液-固、超临界流体-液-固、超临界流体-固-固、固-液-固和广义气-液-固等)为线索,系统阐述了金属催化法在一维无机纳米结构的制备和生长机理研究方面的最新进展.最后,我们指出了金属催化法在制备技术和生长机理研究方面存在的一些问题并提出了一些可能的解决途径.
关键词:
一维纳米结构
,
金属催化
,
生长机理
徐剑
,
贺跃辉
,
王世良
,
汤义武
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.004
采用H2/N2/H2O混合气体在850℃下还原含有少量Ni/Fe/Co的氧化钨混合粉末的方法,制备出金属钨纳米针.用SEM、TEM和EDS分析等方法对金属钨纳米针进行了表征.结果表明:纳米针的顶部直径为30～70 nm,根部直径为150～200 nm,长度为2～10 μm;纳米针具有完好的BCC单晶结构,沿〈100〉方向生长;在纳米针的生长过程中Ni/Fe/Co起到了顶端催化作用.
关键词:
金属材料
,
金属钨
,
纳米针
,
制备
,
低温
刘新利
,
王世良
,
张泉
,
邓意达
,
贺跃辉
材料研究学报
以MoO_3粉末和石墨为原料,用气相传输方法制备MoO_2微/纳米片,并对其形貌、结构及光学性能进行了分析和表征.结果表明,用气相法制备的矩形薄片状MoO_2,长和宽在几微米到几十微米之间,厚度约为200 nm.MoO_2微/纳米片在波长200-300 nm的紫外光范围内有较强的吸收带,在304.6 nm、343.4 nm和359.6 nm处有较强的发光峰.根据实验分析和热力学理论,探讨了MoO_2微/纳米片的生长机理.
关键词:
无机非金属材料
,
二氧化钼
,
微/纳米片
,
光学性能
,
生长机理
高程
,
贺跃辉
,
王世良
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.003
用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30 μm.
关键词:
金属材料
,
金属钨
,
单晶
,
纳米线
,
阵列
