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团簇离子束技术的应用进展

薄膜的制备方法对薄膜的性能和应用有很大影响,精密的电子器件、光学装置等越来越需要高品质的薄膜,这些都需要采用先进的制备方法来制备.结合近年来实验、计算机模拟及理论计算等各方面的研究结果,对应用团簇离子束法制备薄膜及研究团簇粒子方面的研究进展进行了评述,分析了影响薄膜性能的因素,并初步探讨了其成膜机理及团簇粒子的性质.

关键词: 团簇离子束 , 电子结构 , 薄膜

单晶Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6的磁控形状记忆效应和磁感生应变

崔玉亭 , 王万录 , 廖克俊 , 朱亚波

稀有金属材料与工程

用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn16.4Fe8Ga23 6的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性.结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应变和磁感生应变,而且磁感生应变具有很好的温度稳定性,从265 K到100K,饱和磁感生应变的最大减小量不超过10%.另外,实验也发现磁感生应变量最大的方向是沿晶体母相的[001]方向(即单晶生长方向).根据合金形状记忆的特点和磁场诱导应变的机理对实验结果进行了分析和讨论.

关键词: 形状记忆效应 , 磁感生应变 , 马氏体相变 , 温度稳定性

热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响

王万录 , 廖克俊 , 孔春阳 , 方亮 , 王蜀霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.024

利用热灯丝CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明，沉积条件对金刚石膜电子性质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少，但场发射随其增加而增强。压阻效应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下100微形变时为1200，但含有大量缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于200。这是由于薄膜中缺陷态密度增加，并依赖于膜结构的变化。

关键词: 金刚石膜 , 热灯丝 , 场发射 , 迁移率

负折射现象的研究进展

葛芳芳 , 王万录 , 刘高斌 , 刘亚静 , 胡江川

材料导报

负折射现象是一种崭新的现象,是上个世纪60年代理论预言,直到一年前被实验证明微波照射在左手化媒质(LHM)上,折射方向不同于Snell定律所描述的.介绍了这种负折射现象研究的最新发展.着重于LHM的人工合成,理论解释以及负折射率的实验证明等几个方面,以便进一步开展这方面的工作.

关键词: 左手化媒质 , 负折射率 , 负折射现象 , 光子晶体

ZnO薄膜的光致发光

马勇 , 王万录 , 廖克俊 , 吕建伟 , 孙晓楠

功能材料

ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题.关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现.本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述.提出了关于需进一步研究的问题.

关键词: ZnO薄膜 , 光致发光 , 温度 , 激发强度

CVD金刚石膜的场发射机制

王必本 , 王万录 , 廖克俊 , 孔春阳

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.012

利用热灯丝化学气相沉积方法在光滑的钼上沉积了金刚石膜。用扫描电子显微镜和Raman 谱对金刚石膜进行了分析，结果表明金刚石膜是由许多金刚石晶粒组成，晶粒间界主要是石墨相，并且在膜内有许多缺陷。金刚石膜的场发射结果表明高浓度CH4形成的金刚石膜场发射阈位电场较低浓度CH4形成的金刚石为低。这意味着杂质（如石墨）和缺陷（悬挂键）极大地影响了膜的场发射性能。根据以上结果，提出了一种CVD金刚石膜的场发射机制即膜内的缺陷增强膜内的电场，石墨增大电子的的隧穿系数以增强CVD金刚石膜的场发射。

关键词: CVD金刚石膜 , 石墨 , 缺陷 , 场发射