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基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究

李旺 , 朱登华 , 刘石勇 , 刘路 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 杨德仁 , 牛新伟 , 杜国平

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm ×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能.结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2%,同时并具有相同的导电能力.在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16%和7.82%.

关键词: 柔性衬底 , 低压化学气相沉积 , B掺杂ZnO , 非晶硅薄膜 , 太阳能电池

非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

刘石勇 , 李旺 , 牛新伟 , 杨德仁 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 陆川

人工晶体学报

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62.

关键词: 非晶硅锗 , 光学带隙 , 太阳能电池

PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

李旺 , 刘石勇 , 刘路 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 牛新伟 , 陆川

人工晶体学报

利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

关键词: 聚酰亚胺 , n-i-p结构 , 激光划分绝缘 , 掩盖分割 , 非晶硅薄膜 , 太阳能电池

LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

朱登华 , 李旺 , 刘石勇 , 牛新伟 , 杜国平

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响.结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现“类金字塔”的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200 ~ 500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28 Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15%明显降低至5%左右,表现出优异的光学减反性能.

关键词: 低压化学气相沉积 , B掺杂ZnO , 透明导电薄膜 , 方块电阻 , 光学减反

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