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PC树脂上沉积DLC薄膜耐磨性与透光性的研究

褚颖 , 成艳 , 郑玉峰 , 周艺 , 王彦波 , 熊晓玲 , 魏世成

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.001

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在聚碳酸酯(PC)树脂片上沉积类金刚石(DLC)薄膜,以获得耐磨性和透光性良好的光学镜片.研究了薄膜的沉积工艺对PC基体镀DLc薄膜耐磨性和透光性的影响.结果表明:PC树脂片上沉积DLC薄膜后,耐磨性有极大的提高,摩擦系数降低了70%左右,显微硬度增加了约30%且随着沉积时间增加而增加,但透光率由约90%降至80%~70%.薄膜样品的耐磨性和透光性与样品的粗糙度、形貌及组成有关.

关键词: PC树脂 , DLC薄膜 , PECVD , 耐磨性 , 透光性

基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化

胡睿 , 熊晓玲 , 王关全 , 魏洪源 , 张华明 , 杨玉青

材料保护

传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合.以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15 h,偶联处理48 h,再在化学镀液中于90℃下施镀1 h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2·h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良.

关键词: 化学镀镍 , 自组装单分子层技术 , 单晶硅 , 正交试验

小体积化学镀镍工艺

胡睿 , 张华明 , 熊晓玲 , 王关全 , 杨玉青 , 刘国平

电镀与涂饰

以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2 mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响.结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77℃,反应2 h的条件下,镀层沉积速率快,含镍量高于72%,且颗粒分布均匀、密实.

关键词: 不锈钢 , 化学镀镍 , 酸度 , 沉积速率

低浓度硝酸镍间接化学镀镍工艺的研究

胡睿 , 杨玉青 , 王关全 , 熊晓玲 , 张华明

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.020

在传统化学镀镍工艺中,硝酸镍不是直接施镀的主盐,但在一些特殊使用需求的情况下只能使用硝酸镍作原料.研究了以硝酸镍为原料,通过不同的沉淀剂,采用离心-沉淀-再溶解法以及灼烧法将硝酸镍转化成硫酸镍,将硝酸根去除后间接实现化学镀镍.研究结果表明:采用草酸工艺可以得到镍离子转化率高、硝酸根除去效果好的硫酸镍溶液,采用该溶液配制的化学镀镍液制备出的镀层具有均匀、致密,粒径1~2μm,双面沉积量大于5mg/cm2,含镍量72%以上等特征.

关键词: 化学镀镍 , 硝酸镍 , 镀层

利用偶联技术制备核电池用镍膜的工艺初探

胡睿 , 魏洪源 , 熊晓玲 , 张华明 , 王关全 , 杨玉青

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.019

曲面换能单元的核电池中镍-63的加载难以用常规源片加载法实现.采用偶联技术,对功能高分子膜的表面用偶联剂改性后进行活化处理,初步制备了镀有非放镍的高分子薄膜,并分析了此工艺的反应机理.采用该工艺可避免常规化学镀镍方法中试剂对半导体材料的损伤.

关键词: 核电池 , , 加载

薄膜型90Sr放射源制备工艺研究

胡睿 , 熊晓玲 , 邓建 , 董文丽 , 彭太平

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.029

目的:为了获取与90Sr同位素电池匹配的放射源,研发一种在指定非金属衬底材料上制作薄膜型90Sr放射源的工艺。方法双环己烷-18-冠醚-6是一种既可配位锶离子,又具有良好抗辐照性能的分子,采用配位法将硝酸锶负载在该冠醚分子上,并溶解于高分子成膜剂中,在衬底材料上滴加后,自然晾干制备成含锶膜层。对制备结果进行了IR、TG、DSC、EDS、元素分析表征,考察了膜与衬底材料之间在经过116 kGy剂量的γ辐照前后的结合力。结果该工艺实现了锶加载率大于93%,辐照后薄膜振荡掉粉率的增加小于1.3%。示踪实验表明,薄膜中表征锶分布不均匀性的相对标准偏差在7%左右。结论该工艺能够在衬底材料上获取90Sr放射性薄膜,膜与衬底之间结合牢固,锶分布均匀性满足相关行业标准。

关键词: 90Sr , 双环己烷-18-冠醚-6 , 配合物 , 抗辐照性 , 同位素电池

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