熊惠芳
,
蒋力立
,
唐新桂
,
刘秋香
稀有金属材料与工程
在Vt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用溶胶-凝胶法制备出多(Pb(1-x)/100Lax/100)Ti(1-x/4)/100O3(x=28,简称PLT28)薄膜.PLT28薄膜的平均晶粒尺寸为25～30 nm,薄膜均匀致密.PLT28薄膜在300 kV/cm电场作用下,自发极化强度(Ps)、剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为11.9 μC/cm2、0.77 μC/cm2和8.1 kV/cm.在外加电场363 kV/cm时,PLT28薄膜的相对介电常数与介电调谐率高达1242%和68.4%.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
钛酸镧铅
,
薄膜
,
铁电存储器
,
介电调谐特性
程铁栋
,
唐新桂
,
匡淑娟
,
熊惠芳
,
刘秋香
,
蒋艳平
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故.
关键词:
PLT薄膜
,
界面特性
,
漏电流
,
肖特基发射
,
空间电荷限制电流
熊惠芳
,
唐新桂
,
易双萍
,
范仰才
,
蒋力立
,
陈王丽华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.014
在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺分别制备出了(110)外延取向生长的(Ba0.65Sr0.35)TiO3/CaRuO3(BST/CRO)异质结构薄膜;BST/CRO异质结构薄膜由纳米晶团簇组成,最大的团簇晶粒达500 nm,平均晶粒尺寸在60～80 nm,薄膜厚度为650 nm.BST/CRO异质结薄膜均为表面平滑和致密结构.BST/CRO异质结薄膜的介电常数和介电调谐率分别高达851和78.1%.与纯BST薄膜比较,用CRO作电极,增益介电常数与介电调谐率.
关键词:
脉冲激光沉积
,
钛酸锶钡薄膜
,
异质结构
,
介电调谐率
李群
,
熊惠芳
,
唐新桂
功能材料
用溶胶-凝胶法制备(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3(简称PST)前驱体溶液,以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂,通过旋涂工艺在Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片上沉积PST薄膜.薄膜经320～380℃热分解,再经650℃退火30min,得到晶化好的薄膜样品,X射线衍射结果表明PST薄膜为钙钛矿立方相结构,其晶格常数为a=0.3919nm.用原子力显微镜观测其表面形貌,薄膜平均晶粒尺寸为300nm.用XPS测量了650℃退火PST薄膜样品的表面化学态,结果表明表面富铅,接近表面区域的原子比率Pb∶Sr∶Ti∶O是0.52∶0.50∶1.0∶3.02,接近(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3的理想配比.
关键词:
Pb_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
石英基片
,
结构
,
光学特性
,
吸收边
