姚宏燚
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袁志钟
,
熊志高
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翟艺璇
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李东升
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.001
利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响.结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO2晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO2薄膜在O2气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85 eV;经过退火的SnO2薄膜的光致发光(PL)强度显著增强,位于约610 nm的PL发光峰主要是源于SnO2纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态.
关键词:
SnO2薄膜
,
反应磁控溅射
,
光致发光
,
光学禁带
