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GaAs/Si(100)异质外延4°偏角衬底对外延层结晶质量的提高

熊德平 , 罗莉 , 雷亮 , 陈志新

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.001

用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层.异质外延采用两步生长法,并分别优化了两种衬底上的非晶低温缓冲层的生长条件.用X射线双晶衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对两种衬底上的GaAs外延层进行了结构表征,其中Si(100)4°偏角衬底上1.8μm厚GaAs的(004)面XRD衍射半高全宽338 arcsec,同比在无偏角衬底上的半高全宽为494arcsec,TEM图片显示4°偏角衬底上外延层中的位错密度大大降低.

关键词: GaAs/Si异质结 , X射线衍射(XRD) , 透射电子显微镜(TEM)

InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响

熊德平 , 任爱光 , 王琦 , 黄辉 , 黄永清 , 任晓敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.005

采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs(100)衬底生长InP,用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌,测量了他们的表面均方根值,讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响,并分析外延层与低温缓冲层表面形貌的依赖关系,外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致,在450 ℃生长低温缓冲层,外延层有最好的表面形貌.

关键词: 退火 , 原子力显微镜 , 均方根 , 低温缓冲层

低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析

任爱光 , 任晓敏 , 王琦 , 熊德平 , 黄辉 , 黄永清

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.007

本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在.

关键词: 有机金属化学气相外延 , Simple算法 , 旋转垂直腔

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