黄振宇
,
肖芬
,
陈锐
,
熊兆贤
功能材料
提出一种新型阶跃阻抗同轴滤波器的设计方案,并以小灵通射频前端滤波器为例,介绍了整个设计流程.与均匀阻抗同轴滤波器相比,阶跃阻抗同轴滤波器能够减小谐振波长,从而减小滤波器的尺寸.同时在同轴内导体表面开槽,能进一步减小滤波器的尺寸.
关键词:
阶跃阻抗滤波器
,
耦合系数
,
有载Q值
陈锐
,
肖芬
,
黄振宇
,
熊兆贤
功能材料
介绍了平行板介质谐振器法测试微波介质陶瓷的基本原理,建立一套基于该方法的自动测试系统并对测试结果进行分析.使用表明该自动测试系统稳定、重复性好、测试效率高.测试系统的建立为微波介质陶瓷的研究提供了有效测试手段.
关键词:
微波陶瓷
,
自动测试
,
介质谐振器
于海岗
,
沈泽华
,
鲍德艳
,
熊兆贤
功能材料
采用水热法制备了(Zr0.8Sn0.2)TiO4粉体,并借助于XRD、SEM、热分析等手段对反应后的结晶粉末进行了表征.实验结果表明,粉末性能受反应溶液pH值的影响显著.随着pH值的增大,晶粒的生长更加充分,完整.反应后的晶粒粒度为纳米尺度,表面活性大,有利于烧结.烧结温度在1260-1320℃之间,比传统固相法制备的ZST陶瓷烧结温度降低了300多度.
关键词:
水热法
,
ZST
,
微波陶瓷
罗军
,
庞照勇
,
程珊珊
,
倪蔚
,
熊兆贤
功能材料
以工业纯BaCO3、ZnO、Nb2O5为原料,按照一定配比配料混合,通过传统的固相反应法合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(即BZN)陶瓷材料,预烧温度(分别为1000、1100和1200℃)对BZN陶瓷微波性能的影响过程中,对合成的BZN粉体进行差热/热重分析,对烧结后的BZN陶瓷进行XRD分析和SEM形貌观察,利用矢量网络分析仪测量BZN陶瓷的微波性能Q、εr和rf.实验结果表明,预烧温度对BZN微波陶瓷的介电性能影响比较大,预烧温度为1200℃时可以获得较好的介电性能:εr=41.6,Q*f=38671GHz,τf=2.8×105/℃.
关键词:
微波介质陶瓷
,
Ba(Zn1/3Nb2/3)O3
,
预烧温度
,
介电性能
师彩丽
,
苏炳煌
,
邱艳静
,
熊兆贤
,
任磊
,
李钫
功能材料
在羟基磷灰石中加入银盐充分反应,热处理后得到载银羟基磷灰石抗菌粉体,将此抗菌粉体5%掺于中温釉中,涂于陶瓷表面通过釉烧得到抗菌卫生陶瓷.经抗菌试验测试,其对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌抗菌率达100%.XRD、SEM和EDS分别用于分析和观察抗菌粉体的晶相结构、形貌及其元素成分.
关键词:
银盐
,
羟基磷灰石
,
抗菌陶瓷
肖芬
,
熊兆贤
,
黄振宇
,
董晓盈
稀有金属材料与工程
介绍了短路型平行板法测量微波陶瓷介质谐振器的原理、平行板法自动测量系统的硬件组成、自动化校准测试程序的流程图以及友好直观的测试界面;为提高测试数据的可靠性和精确性,该系统特别增添具有自动搜索判别正确谐振峰的功能,并采用2种不同的方法对平行金属板电导率进行标定,不仅完善系统的自动化测量程度,而且提高微波陶瓷材料的测试可靠性和精确性,可实现精确、自动地测量微波陶瓷材料的介电性能参数.
关键词:
微波陶瓷
,
介质谐振器
,
自动校准
,
介电常数
,
介质损耗
熊兆贤
,
肖芬
,
程珊珊
,
邱虹
稀有金属材料与工程
添加CeO2对BZN和BMZN微波陶瓷介电性能的影响表明,引入CeO2对BZN和BMZN陶瓷密度和微观形貌没有明显的影响,也不易造成第二相的形成;添加适量的CeO2能调节BZN和BMZN陶瓷的谐振频率温度系数在-10-5/℃～10-5/℃之间;CeO2对BZN陶瓷Qf值的影响不大,但会使BMZN陶瓷的Qf值明显降低;考虑电容率、Qf值和谐振频率温度系数三方面因素,获得较好性能的BZN和BMZN陶瓷性能如下:BZN+0.75% CeO2,εr=39.45,Qf=51201 GHz,τf=8.20×10-6 /℃;BMZN+0.50% CeO2,εr=40.48,Qf=51381 GHz,τf=12.7×10-6 /℃.
关键词:
微波陶瓷
,
介电性能
,
介电常数
,
介质损耗
,
谐振频率温度系数
李珺
,
刘晓轩
,
熊兆贤
功能材料
报告由水溶性的APS作为氧化剂、NaDBS作为表面活性剂、p-NPh作为掺杂剂制备的PPY材料的多种电性能,采用SEM观察PPY表面形貌,发现大尺寸磺酸根离子的共存会降低PPY的颗粒尺寸,添加p-NPh提高PPY主链规整度进一步增加PPY的电导率,筛选出应用于卷绕式铝电解电容器的PPY最佳配方.
关键词:
聚吡咯
,
PPY
,
固体电解电容器
李伟
,
熊兆贤
,
薛昊
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140255
片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应,用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义.通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能.其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时,降低了介电损耗,其值只有0.028,远低于其他报道的损耗值.同时,测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱,讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能.实验结果表明,通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗,这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性.
关键词:
钙钛矿
,
流延法
,
介电性能
,
晶界
