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新型紫外光源研制成功

江风益 , 熊传兵 , 彭学新 , 王立 , 李述体 , 姚冬敏 , 莫春兰 , 李鹏 , 周毛兴 , 周力 , 吴蔚登 , 刘和初

材料导报

关键词:

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 , 莫春兰 , 李鹏 , 王立 , 熊传兵 , 彭学新 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.

关键词: MOCVD , GaN:Si , 光致发光

裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响

肖宗湖 , 张萌 , 熊传兵 , 江风益 , 王光绪 , 熊贻婧 , 汪延明

人工晶体学报

本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.

关键词: Si衬底 , InGaN/GaN , LED , 裂纹 , 应力

镍对多弧离子镀制备的铬基金属衬底性能的影响

王古平 , 熊传兵 , 江风益

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.04.023

利用多弧离子镀和选择腐蚀相结合的技术在Si(111)衬底上首次制备了具有择优取向的铬基金属衬底,该金属衬底具有与外延级硅衬底一致的表面粗糙度及平整度.采用SEM,EDX,XRD和显微硬度计对铬基金属衬底进行了表征.研究表明:镍铬共镀有利于获得(110)择优取向的铬基金属衬底,同时镍铬共镀对表面形貌、显微硬度、平整度均存在一定影响.

关键词: 多弧离子镀膜 , 铬基金属衬底 , 择优取向 , 表面粗糙度