赵东林
,
焦桓
,
罗发
,
周万城
功能材料
用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)和氨气为原料,用激光诱导气相反应法合成了纳米SiC(N)粉体.采用双反应室结构不仅提高了CO2激光的利用率,而且提高了纳米粉体的产率,合成的SiC(N)粉体的粒径为20～50nm,纳米粉体的分散性好,无严重团聚.研究了纳米SiC(N)粉体的激发光谱和发射光谱,纳米SiC(N)粉体的激发光谱峰的位置为205.4nm,峰的强度为1862 a.u.,发射光谱峰的位置为505.2nm,峰的强度为1499 a.u.,纳米SiC(N)粉体在紫外激发下发出蓝绿色荧光.纳米SiC晶体中与N有关的缺陷是引起蓝绿光发射的主要原因.N原子是浅施主杂质,在SiC晶格中占据了C原子的位置,在外界能量的激发下,N原子最外层电子从激发态跃迁到基态而释放出光子.
关键词:
纳米SiC(N)粉体
,
激光诱导气相合成
,
光致发光
,
发光机理
冯杨
,
刘振
,
何地平
,
焦冬梅
,
刘可非
,
焦桓
中国稀土学报
采用高温固相法制备了碱土金属离子(Mg2+,Ca2+,Ba2+)掺杂的SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉荧光粉.XRD谱分析表明,随着基质中掺人的碱土金属离子(Mg2+,Ca2+,Ba2+)浓度增加,基质晶格常数也随之发生变化.Mg2+,Ca2+和Ba2+3种碱土离子在SrAl2O4中的固溶范围分别为40%,15%和30%.光谱分析则表明在固溶范围内随着掺杂Mg3+,Ca2+和Ba2+浓度的增大,样品的发射峰值会在480～530 nm范围出现规律性移动.适当浓度的Mg2+,Ba2+掺杂会不同程度地提高样品的发光强度,而Ca2+的掺杂则会降低发光强度.但是碱土金属离子(Mg2+,Ca2+,Ba2+)的掺杂并不能延长SrAl2O4:Eu2+,Dy3+荧光粉的余辉时间.
关键词:
碱土金属离子
,
SrAl2O4:Eu2+Dy3+
,
掺杂
,
发射光谱
,
稀土
焦桓
,
廖复辉
,
周晶晶
,
荆西平
中国稀土学报
系统讨论了La3+,Sc3+,Gd3+和Lu3+掺杂对(Y0.97Tb0.03)2SiO5的光致和阴极射线发光性能的影响,发现不同稀土元素对(Y0.97Tb0.06)2SiO5的发光性能有不同的作用,发光强度与掺杂稀土元素的种类和含量有关.在光致条件下,当La3+,Sc3+,Gd3+和Lu3+掺杂量分别为0.05,0.30,0.30和0.20时,与(Y0.97Tb0.03)2DiO5相比,(Y0 97-xRExTb0.0)2SiO5的发光强度分别变化了+10%,-30%,-15%和+20%.稀土元素掺杂对激活剂有显著的稀释作用,随掺杂稀土元素含量增大,激活剂的猝灭浓度表现出增大的趋势.稀土元素掺杂对(Y0.97Tb0.03)2SiO5的色纯度也有影响,不同稀土元素掺杂后荧光粉发光的色纯度表现出持续升高或降低的趋势.在阴极射线作用下,稀土掺杂(Y0.97Tb0.03)2SiO5的发光强度均得到提高,提高的程度依La3+,Gd3+,Lu3+和Sc3+次序分别为10%,25%,25%和5%～10%.根据稀土元素对发光性能的影响分析了稀土元素掺杂后(Y0.97Tb0.03)2SiO5发光性能产生差别的原因.
关键词:
硅酸钇
,
铽
,
光致发光
,
阴极射线发光
,
FED
,
稀土掺杂
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2003.03.020
采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2～12.4 GHz频率范围内的微波介电特性.结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关.随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大.SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
SiC(N)/LAS复合材料
,
介电常数
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电常数
,
界面层
,
吸波材料
周俊
,
雷小敏
,
王晓
,
罗伟
,
焦桓
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2014.30376
为改善高温固相反应制备的铈掺杂钇铝石榴(YAG∶ Ce3+)黄光荧光粉的发光性能,分别采用浓氨水、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、三乙醇胺、聚丙烯酰胺和六次甲基四胺等的水溶液对其进行浸泡处理,比较了处理剂浓度、用量和处理剂类型对荧光粉发光强度、荧光粉温度、猝灭性能和形貌的影响,确定了以30％氨水在50℃浸泡50 min为优化的处理工艺,YAG∶ Ce3+荧光粉发光强度比处理前约提高9.5％,荧光粉分散程度也得到改善,处理后粒径分布更加均匀.
关键词:
铈掺杂钇铝石榴石
,
荧光粉
,
后处理
,
发光强度
焦桓
,
周万城
,
李翔
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.004
以三氯甲基硅烷(MTS)为原料,在无水蒸气和有水蒸气加入的条件下采用化学气相沉积(CVD)法制备出SiC块体材料.在950～1200 ℃的范围内,水蒸气在水温20～80℃时由Ar鼓泡引入反应器中进行沉积,得到的产物基本属β-SiC,其中混有少量的二氧化硅.结果表明,无水蒸气时SiC的沉积速率随沉积温度升高而略有升高;通入水蒸气后SiC的沉积速率有所提高,当水蒸气的引入温度为20℃、沉积温度为1050℃时,沉积速率最大达到0.9mm/h;随水蒸气引入量的增加,SiC的沉积速率呈降低趋势.对沉积反应的机理进行了初步分析.
关键词:
CVD
,
SiC
,
水蒸气
,
机理
