焦志伟
,
张文林
,
沈德忠
,
王晓青
,
沈光球
人工晶体学报
本文以PbO-0.25B2O3为助熔剂,利用顶部籽晶法获得了较大块的Cd3Zn3B4O12单晶.透过率测试结果显示该晶体的紫外截止波长位于310 nm处.利用Kurtz-Perry的方法对晶体的倍频效应进行了测试,结果显示该晶体的粉末倍频效应约为KDP的5倍,且能实现相位匹配.晶体的光损伤阈值约为840 MW(1064 nm,10 ns).该晶体的热分析结果显示Cd3Zn3B4O12晶体在熔点温度以上会产生分解,这也是阻碍高质量大块Cd3Zn3B4O12晶体生长最主要的因素.
关键词:
Cd3Zn3B4O12
,
顶端籽晶法
,
助熔剂
李长金
,
焦志伟
,
袁聪姬
,
杨卫民
高分子材料科学与工程
采用Bird-Carreau本构方程,建立了层叠流道聚合物熔体流动的三维粘弹数值模型,运用有限元法,对示踪粒子在层叠流道中的运动轨迹进行数值模拟,分析工艺参数和流道结构参数对示踪粒子在层叠流道中运动轨迹的影响.并根据分析结果对工艺参数和流道结构参数进行了优化.模拟结果表明,示踪粒子的运动轨迹与理想运动轨迹的偏移值随着入口体积流率(Q)的增大而增大,随着流道水平流程长(L)和流道入口面长宽比(K)的增大而减小.此外,与优化前的层叠流道模型相比,示踪粒子在优化后的层叠流道中流动时产生的偏移值更小.
关键词:
挤出成型
,
层叠流道
,
有限元
,
粒子示踪
,
数值模拟
焦志伟
,
姜伟棣
,
宫杰
,
叶高翔
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法在载玻片上制备Cr/Gd/Cr薄膜.利用XRD和VSM对薄膜的微观结构和低温磁特性进行研究.结果表明:薄膜的Tc=297 K,高于块体Gd的Tc=293 K,薄膜中的铁磁层Gd与反铁磁层Cr的自旋在界面表现出铁磁耦合特征,当温度分别在80～200 K和250～290 K时,矫顽力和交换偏置场随温度表现出正常的变化规律,但温度为200～250 K时,随温度的升高,Gd的自发磁矩方向发生变化,铁磁相Gd与反铁磁相Cr之间的耦合作用减弱,表现出交换偏置场减小、矫顽力增大的反常变化.
关键词:
Cr/Gd/Cr薄膜
,
交换偏置
,
磁化强度
,
矫顽力
熊良钊
,
焦志伟
,
李长金
,
程祥
,
杨卫民
高分子材料科学与工程
doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.10.013
利用自主设计的微层挤出装置制备了1,9,81,729层4种具有不同层数的聚氯乙烯(PVC)/CaCO3试样.通过扫描电镜、流变仪、超声波监测仪、增塑剂迁移和力学性能测试分别对试样的结构、取向度,增塑剂迁移稳定性和力学性能进行了研究.结果表明,微层挤出软聚氯乙烯分子链由卷曲状态变为更加有序的线型状态,排列更加紧凑,试样表现出优异的抑制增塑剂迁移性能;纳米碳酸钙可以进一步抑制PVC中增塑剂的迁移,且层倍增单元中的持续剪切作用能够有效分散PVC中的纳米碳酸钙,在降低增塑剂迁移的同时提高复合材料力学性能.
关键词:
微层挤出
,
取向度
,
迁移稳定性
,
力学性能
焦志伟
,
李京洋
,
沈光球
人工晶体学报
通过顶部籽晶法获得了大块Li掺杂的SrB4O7(Li∶ SBO)单晶,晶体尺寸为80 mm×11 mm×40 mm.元素分析和X射线衍射结果证明锂离子成功掺入SBO晶格中,并使掺入后的SBO晶胞有所增大.深紫外和紫外透过光谱显示Li掺杂后的SBO晶体紫外截止边相对于SBO的120 nm红移到了140 nm左右,倍频结果显示Li∶ SBO晶体可实现较强的1064 nm的倍频光输出.晶体的缺陷研究结果显示,Li∶ SBO晶体生长时容易在c轴方向上形成线状包裹体,腐蚀后的晶体表面发现了两种不同形貌的位错蚀坑,对应于晶体内部不同的位错形态.
关键词:
SrB4O7
,
顶部籽晶法
,
倍频效应
,
晶体缺陷
