张恩
,
冯春
,
李宁
,
王海成
,
滕蛟
,
王立锦
,
于广华
功能材料
利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.
关键词:
磁记录介质
,
垂直磁各向异性
,
磁交换耦合作用
王海成
,
杜中美
,
王立锦
,
滕蛟
,
李明华
,
于广华
功能材料
采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响.研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构, (100)、(002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提高薄膜的均匀性和一致性,表面无明显缺陷;细化晶粒,平均晶粒尺寸为100～150nm;提高Co-P薄膜的磁性能,矫顽力可达4.54×104A/m.当记录信号脉冲时,与铝基体上直接施镀相比,在Ni-P底层上的Co-P磁记录薄膜输出信号幅值均匀稳定,信噪比良好.
关键词:
化学镀
,
Co-P
,
磁记录薄膜
,
Ni-P
李宝河
,
黄阀
,
杨涛
,
冯春
,
滕蛟
,
朱逢吾
金属学报
采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有
序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt
薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后,
有序度增至0.6, 矫顽力达到421 kA/m. 对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度
下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.
关键词:
FePt/Cu多层膜
,
L10-FePt ordered phase
,
magnetron sputtering
李明华
,
李伟
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009
采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
关键词:
MgO
,
NiFeCr
,
各向异性磁电阻
,
退火
冯春
,
李宝河
,
滕蛟
,
于广华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.035
利用磁控溅射的方法, 在热玻璃基片上制备了[Fe/Pt]n多层膜, 经不同温度真空热处理后, 得到L10有序结构的FePt薄膜(L10-FePt).实验结果表明: [Fe/Pt]n多层膜结构可使FePt薄膜的有序化温度由500 ℃降到350 ℃, 350 ℃退火20 min后其平行膜面矫顽力可达到421.8 kA·m-1.同时以Ag, Ti, Cu和Pt做底层, 利用[Fe/Pt]n多层膜结构制备了FePt薄膜, 磁性和X射线衍射结果表明: 与[Fe/Pt]n多层膜相比, 四种底层均没有进一步降低FePt薄膜的有序化温度, 其中Ag做底层对[Fe/Pt]n多层膜退火后的平行膜面矫顽力影响较小, 但能够提高其垂直磁各向异性;其他底层均会降低[Fe/Pt]n多层膜在高温退火时的平行膜面矫顽力, 且对其垂直磁各向异性无改善作用.
关键词:
L10-FePt薄膜
,
有序化温度
,
底层
,
多层膜结构
丁雷
,
王乐
,
滕蛟
,
于广华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.006
各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中.器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄.采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响.结果表明:由于Al2O3层的“镜面反射”作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值, 当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%.性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的“镜面反射”作用外, 抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素.
关键词:
NiFe薄膜
,
各向异性磁电阻(AMR)
,
纳米氧化层
,
镜面反射
李建伟
,
赵崇军
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.007
NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比.制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降.电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长.
关键词:
低频噪声
,
NiFeCr
,
种子层
,
退火
,
信噪比
王乐
,
于广华
,
姜勇
,
冯春
,
滕蛟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.010
使用电子束蒸发镀膜方法在覆有掩膜板的SiO2/Si基片上制备了Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20结构平面自旋阀,研究了不同退火温度对Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2 O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响.使用非局域测量方法分别测量制备态以及300,400和500℃不同退火温度下Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中Ag层中自旋积累信号的大小.实验结果表明:自旋积累信号在制备态下为1.3 mΩ；随着退火温度的升高,自旋积累信号也随着增大,并在500℃退火30 min后达到极大值(～14.5 mΩ),比制备态提高了一个数量级；进一步提高退火温度到600℃时,由于Ag层会凝聚成岛状结构而破坏Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中Ag层的连续性,使Ag层断裂,从而使测量到的自旋积累信号为0 mΩ.研究认为,Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中自旋积累信号的增强主要是高的界面自旋极化率以及长的自旋扩散长度共同作用的结果.Ni80 Fe2/Al2O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中的铁磁/非磁金属界面处Al2O3插层的平整度在退火后得到改善,有效地提高了界面自旋极化率；同时,样品表面的Al2 O3保护层退火后对Ag层中自旋电子的散射作用的增强,提高了Ag中自旋电子的扩散长度.
关键词:
平面自旋阀
,
自旋积累信号
,
界面自旋极化率
,
自旋扩散长度
