叶林森
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
任锐
,
王瑞林
,
钟雨航
,
温才
,
李佳伟
功能材料
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.
关键词:
硒化镉
,
晶体生长
,
气相垂直提拉
,
电阻率
,
红外表征
温才
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
何知宇
,
任锐
,
罗政纯
,
李艺星
功能材料
通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
关键词:
CdSe单晶体
,
核辐射探测器
,
霍尔效应
钟雨航
,
朱世富
,
赵北君
,
任锐
,
何知宇
,
叶林森
,
温才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
关键词:
硒化镉
,
机械化学抛光
,
抛光液
,
金相显微镜
,
电阻率
温才
,
令勇洲
,
李文俊
,
刘虹
,
寇采懿
,
蒋耀
,
唐金龙
材料导报
基于光学增透膜与真空蒸发镀膜的基本原理,从MgF2原料状态、原料蒸镀质量、蒸发源与基片间距等方面,研究了热电阻和电子束蒸镀的MgF2薄膜厚度与其均匀性的控制工艺,以制备出高效的MgF2增透膜.结果表明:对于颗粒度较小或熔点较低的原料,热电阻比电子束蒸镀更易控制,并可避免原料污染；原料实际蒸镀质量与膜厚呈较好的线性关系；实际蒸镀质量相同的多晶颗粒与粉末状原料相比,前者蒸镀膜更厚；基片置于旋转工转盘中心比其侧部区域蒸镀膜更厚、均匀性更好.最后利用旋转球面夹具的小平面源蒸发模型很好地解释了上述实验结果.
关键词:
真空蒸镀
,
MgF2
,
增透膜
,
厚度
,
均匀性
李同彩
,
郭宝刚
,
李同洪
,
温才
,
陈伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.13.007
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶 Si〈100〉上制备了纳米 TiO2薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影响。结果表明,衬底温度为40~240℃时,石英玻璃上制备的薄膜为无定型TiO2,单晶 Si〈100〉上制备的薄膜为弱结晶性的金红石TiO2,两类薄膜的亲水性均很差。退火温度显著影响薄膜的相组成及亲水性能。石英玻璃上不同衬底温度制备的 TiO2薄膜经550,650℃退火后均转变为锐钛矿 TiO2,具有很好的亲水性能。单晶 Si〈100〉上不同衬底温度制备的 TiO2薄膜经550~950℃退火后,均由金红石和锐钛矿 TiO2混晶组成,且随退火温度升高,薄膜中锐钛矿 TiO2含量逐渐增加；随退火温度升高,衬底温度为40℃时制备的 TiO2薄膜的亲水性能逐渐降低,而衬底温度为240℃时制备的TiO2薄膜的亲水性能逐渐增强。
关键词:
TiO2
,
电子束蒸镀
,
结构
,
相组成
,
亲水性
刘德雄
,
唐金龙
,
温才
,
胡思福
功能材料
采用ZnO、Al2O3 (2.5％(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定.薄膜呈c轴择优取向的六角纤锌矿结构；具有致密平滑的表面形貌；最佳工艺下样品在702nm波长处透过率达90％；最低电阻率为1.7×10-3Ω·cm.
关键词:
ZAO薄膜
,
电子束蒸发
,
X射线衍射
,
透射率
,
电阻率
