马江涛
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滕冰
,
钟德高
,
曹丽凤
,
温吉龙
,
人工晶体学报
采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透过率,激光散射,摇摆曲线测试及热重差热分析,与常规生长方法比较并分析了全方位生长方法的优势.
关键词:
ADP晶体
,
全方位生长
,
理想外形
,
生长速度
马江涛
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滕冰
,
钟德高
,
曹丽凤
,
温吉龙
人工晶体学报
本论文研究的全方位生长装置能解决常规的ADP晶体的单向生长问题.在这套装置中,籽晶完全位于溶液中央,籽晶可以首先恢复其理想的结晶学外形.在晶体生长过程中,晶体在各个方向的生长均为自由生长,且育晶器中央的溶液稳定性也明显高于育晶器顶部和底部.这些因素都有利于ADP晶体的优质快速生长.实验所得晶体的质量通过透过率、晶体内缺陷位错密度、高分辨率X射线衍射表征,并将所得结果与常规方法进行了比较.
关键词:
ADP晶体
,
全方位生长
,
理想外形
,
生长装置
