胡智向
,
吴玉喜
,
顾书林
,
李腾
,
渠立成
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.05.016
为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论(DFT)的第-性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究.计算结果表明:随着压力的增大,晶体的晶格常数、晶胞体积缓慢变小,内坐标u值逐渐增大,Zn-O键长缩短,共价性增强,带隙Eg明显展宽.光学特性谱显示不同外压对低能段光学性质的影响并不明显,而在高能段,随着压力的增大光学性质发生明显的蓝移.
关键词:
材料
,
氧化锌
,
第一性原理
,
光学性质
,
调制
张昊
,
吴玉喜
,
顾书林
,
渠立成
,
李腾
,
韩龙
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.02.016
为了研究ZnO掺Sb后电子结构和光学性质的变化,采用基于密度泛函理论对纯净ZnO和Sb掺杂ZnO两种结构进行第一性原理的计算.计算结果表明:随着Sb的掺入,体系的晶格常数变大,键长增加,体积变大,系统总能增大.能带中价带和导带数目明显变密,费米能级进入导带,体系逐渐呈金属性,带隙明显展宽.在光学性质方面,主吸收峰的左边出现了新的吸收峰,是由导带上的Zn-4s和Sb-5p轨道杂化电子跃迁所致；同时介电函数虚部波峰发生一定程度的升高,实部静态介电常数也明显增大.
关键词:
材料
,
氧化锌
,
第一性原理
,
光学性质
,
掺杂
渠立成
,
吴玉喜
,
贺启亮
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.019
在有限温度下,介观电路系统实际上并不处在一个确定的量子状态,而是处在混合态.利用量子正则系综理论研究了介观LC电路在混合态下电荷和电流的量子涨落.结果表明,有限温度下介观LC电路中的量子涨落不仅与电路器件参数有关,而且与温度也有关.温度越高,电路中的量子涨落越大.该方法较热场动力学(TFD)方法更易于理解和应用.由于实际的介观电路总是处在有限温度下,所以其结论对控制介观电路中的量子涨落有一定的实际意义.
关键词:
量子光学
,
介观物理
,
介观电路
,
混合态
,
量子涨落
