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基于GEANT4的CsI(T1)闪烁体探测器的Monte Carlo模拟

岳珂 , 徐瑚珊 , 梁晋洁 , 孙志宇 , 王建松 , 苏光辉 , 胡正国 , 陈若富 , 肖志刚 , 郑川 , 张雪荧 , 涂小林 , 陈金达 , 章学恒 , 陈俊岭

原子核物理评论

对闪烁光在晶体内的传输以及光电子倍增过程进行了建模,基于GEANT4软件包对CsI(T1)闪烁体探测器进行了蒙特卡罗模拟,得到了不同形状、尺寸和包装的CsI(T1)晶体测量γ射线的能谱.对比模拟和测试结果,两者得到了很好的符合,从而验证了模拟参数的合理性和可靠性.该模拟程序的建立为闪烁体探测器的设计提供了更精确的开发工具.

关键词: GEANT4 , 闪烁体探测器 , 蒙特卡罗模拟 , 光电倍增管

核素等时性质量测量实验中一种基于离子速度纯化次级束的方法

刘大委 , 王猛 , 徐星 , 颜鑫亮 , 帅鹏 , 涂小林 , 张玉虎 , 陈瑞九 , 邢元明 , 原有进 , 杨建成 , 徐瑚珊 , 夏佳文

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.302

等时性质量谱仪(Isochronous Mass Spectrometry,IMS)是测量短寿命核素质量的有效实验装置。在IMS核素质量测量实验过程中,目标核素通过弹核碎裂反应产生,并被次级束流线分离、传输后注入到储存环内。由于远离稳定线的目标核素产额非常低,经常伴随大量杂质核素产生,这些杂质离子会加重飞行时间探测器(Time of Flight,TOF)系统的工作负担。在HIRFL-CSR利用IMS进行核素质量测量实验过程中,发展了一种进一步纯化筛选次级离子的方法,以减轻TOF系统的工作负担。基于次级离子在束流线中飞行速度的差异性,利用HIRFL-CSR踢轨磁铁(Kicker)系统,调节次级束流注入CSRe的时间,使次级离子得到进一步筛选和纯化后注入到CSRe内。在实验中,我们测试并验证了该方法的可行性,并讨论了它在纯化次级束流方面的作用。

关键词: 核素质量 , 速度 , 注入时间 , 纯化次级束

RFQ1L系统压升率的理论与实验研究

田玉林 , 黄文学 , 王玥 , 朱志超 , 涂小林 , 李建新 , 杨晓天 , 徐瑚珊 , 肖国青 , 詹文龙

原子核物理评论

简单阐述了RFQ冷却聚束器对缓冲气体的要求,从理论和实验两方面详细研究了RFQ1L系统的压升率.研究表明,RFQ1L系统压升率的主要来源是真空室内材料表面的出气,整个系统的压升率实测为(0.04±0.02) Pa/h.

关键词: 超重核 , 冷却聚束器 , 缓冲气体 , 压升率

超重复合核的存活概率

贾飞 , 岳柯 , 涂小林 , 杨彦云 , 张宏斌 , 徐瑚珊 , 李君清

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.03.005

考虑角动量相关性的情况下计算了超重核259Db的裂变位垒Bf.计算了258Rf,259Db,266Hs和267Mt 4个超重核单中子蒸发的存活概率Wsur及其随角动量分波的变化关系.给出了中子蒸发宽度、裂变宽度和超重核蒸发一个中子的概率对激发能与角动量分波的依赖关系.

关键词: 超重元素 , 存活概率 , 裂变位垒 , 中子蒸发宽度 , 裂变宽度

(NaPO3)n对过共晶Al-Si合金初晶硅细化的研究

涂小林 , 吴树森 , 吴广忠

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.08.004

研究了(NaPO3)n对Al-22%Si过共晶合金初晶硅的晶粒细化作用.结果表明,(NaPO3)n对初晶硅的细化效果优于CuP,同时(NaPO3)n具有共晶硅变质的作用.采用(NaPO3)n处理的Al-22%Si-1.0%Cu-0.5%Mg-0.5%Mn合金的平均抗拉强度可达273MPa.以扫描电镜、电子探针为检测手段研究了P元素对过共晶Al-Si合金的Si晶体的影响.结果表明,一方面AlP作为异质核心细化初晶硅,另一方面,有Na同时存在时,P的扩散受阻,P元素在Si相生长表面富集,阻碍了Si相生长,细化了初晶硅.

关键词: 过共晶Al-Si合金 , 生长机理 , 晶粒细化 , 变质

冷却速度对过共晶A1-Si合金的初晶Si微细化的影响

吴树森 , 涂小林 , 吴广忠

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2001.02.007

通过检测过共晶A1-20% Si-1% Cu-0.5% Mg-0.5% Mn合金在不同变质处理下的组织变化,研究了冷却速度对初晶Si微细化的影响.结果表明:在5~100℃/s的不同冷却速度下,未变质合金的初晶Si粗大,为50~120 μm,冷却速度对初晶Si尺寸的影响较显著;磷变质或双重变质条件下,冷却速度的变化对初晶Si细化的影响较小.双重变质剂具有同时细化共晶Si及初晶Si的作用,使初晶Si比磷变质更细小,可使初晶Si小于20 μm.

关键词: Al-Si合金 , 初晶硅 , 细化 , 冷却速度

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