沈沪江
,
王林军
,
黄健
,
徐闰
,
史伟民
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01254
采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法制备了100μm米厚高质量(100)定向金刚石薄膜. 利用(100)定向金刚石薄膜成功制备了α粒子探测器, -100V偏压下电荷平均收集效率为37.7%, 最大的电荷收集效率达到60%以上. 在此基础上, 通过在α粒子探测器条状电极面蒸镀一层合适厚度的硼(10B)膜转化层, 成功研制了金刚石中子探测器. 镀硼之后探测器对中子有明显的响应, 在1V/μm电场下, 对252Cf中子的能量分辨率达到9.3%,探测效率达到1.67%. 同时还研究了电场强度和硼(10B)层厚度对器件探测效率的影响规律. 在厚度<1.5μm时, 随着厚度的增加, 探测效率上升, 当厚度>1.5μm时, 探测效率下降.
关键词:
金刚石薄膜
,
radiation detector
,
photoelectrical properties
王林军
,
方志军
,
张明龙
,
沈沪江
,
夏义本
无机材料学报
研究了金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料作为超高速、大功率集成电路封装基板材料的可行性。采用电容法测量了复合材料的介电性质,结果表明在氧化铝上沉积金刚石膜,能有效降低基片材料的介电系数。碳离子预注入处理使介电损耗降低(从5×10-3降低到2×10-3),且频率稳定性更好。金刚石膜的沉积可明显提高基片的热导率,随着薄膜厚度的增加,复合材料的热导率单调递增。当薄膜厚度超过100μm时复合材料的介电系数下降到6.5、热导率上升至3.98W/cm·K,热导率接近氧化铝的20倍。
关键词:
金刚石膜
,
alumina
,
integrated circuits
,
packaging substrates
王林军
,
方志军
,
张明龙
,
沈沪江
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.032
研究了金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料作为超高速、大功率集成电路封装基板材料 的可行性.采用电容法测量了复合材料的介电性质,结果表明在氧化铝上沉积金刚石膜,能有效降低基片材料的介电系数.碳离子预注入处理使介电损耗降低(从5×10-3降低到2×10-3), 且频率稳定性更好.金刚石膜的沉积可明显提高基片的热导率,随着薄膜厚度的增加,复合材 料的热导率单调递增.当薄膜厚度超过100μm时复合材料的介电系数下降到6.5、热导率上升 至3.98W/cm·K,热导率接近氧化铝的20倍.
关键词:
金刚石膜
,
氧化铝陶瓷
,
集成电路
,
封装基板
沈沪江
,
王林军
,
黄健
,
徐闰
,
史伟民
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01254
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法制备了100μm米厚高质量(100)定向金刚石薄膜. 利用(100)定向金刚石薄膜成功制备了α粒子探测器, -100V偏压下电荷平均收集效率为37.7%, 最大的电荷收集效率达到60%以上. 在此基础上, 通过在α粒子探测器条状电极面蒸镀一层合适厚度的硼(~(10)B)膜转化层, 成功研制了金刚石中子探测器. 镀硼之后探测器对中子有明显的响应, 在1V/μm电场下, 对~(252)Cf中子的能量分辨率达到9.3%,探测效率达到1.67%. 同时还研究了电场强度和硼(~(10)B)层厚度对器件探测效率的影响规律. 在厚度<1.5μm时, 随着厚度的增加, 探测效率上升, 当厚度>1.5μm时, 探测效率下降.
关键词:
金刚石薄膜
,
辐射探测器
,
光电性能
李昱煜
,
沈沪江
,
刘岩
,
王炜
,
袁慧慧
,
谢华清
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.07.003
染料敏化太阳能电池(DSSC)是新型太阳能电池的研究热点之一,其优异的弱光发电性能被不断探索,同时透明及柔性DSSC在可穿戴设备上的应用也与日俱增.DSSC的循环依靠对电极的作用才能及时高效地完成,因此对电极材料的选择尤为关键.近几年研究者们对对电极材料的研究不断深入,其中可作为DSSC对电极材料使用的高分子导电聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)因其高导电性、对电解质的催化能力、透明性和柔性等特点受到广泛关注.以含PEDOT或掺杂PEDOT对电极的DSSC为对象,阐述了PEDOT对电极的制备方法,并总结了近几年PEDOT作为DSSC对电极的研究进展.在此基础上,提出未来在电池效率突破研究中应以原位聚合法制备PEDOT对电极为主,以及在大规模工业化生产中应以物理涂覆法为主的观点,为PEDOT对电极DSSC的研究提供依据.
关键词:
染料敏化太阳能电池
,
对电极
,
PEDOT(聚3,4-乙撑二氧噻吩)
