杨小艳
,
沈志华
,
吴胜利
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0911
提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜，该导电薄膜在中间位置向内有凹陷，基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理，会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成，控制纳米裂缝形成位置.分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响，测试了电子发射性能，得到了发射电流特性曲线和发光图像.实验结果表明，这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置，有利于改进表面传导电子发射的均匀性，在阳极高压2.0 kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14 V 时，新型结构导电薄膜实现了均匀发光，发射电流最大为18μA.
关键词:
表面传导电子发射
,
内陷型导电薄膜
,
电形成
