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紫外透射型液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

沈大可 , 赵高凌 , 沈鸽 , 杜丕一 , 韩高荣 ,

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.008

描述了透射型ZnS,Se1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-,光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnS,Se1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,薄膜 的紫外/可见光响应对比度大于103,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在360～410nm范围内连续可调;薄膜的紫外/可见光吸收系数比大于103;在液晶光阀工作的低频段(＜200Hz),其暗阻抗在105～106Ωcm2之间;暗/亮阻抗比满足器件要求.

关键词: 紫外液晶光阀 , 透射型ZnSxSe1-x光敏层 , 光电特性

硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

张溪文 , 沈大可 , 韩高荣

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.007

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率，降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比，并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长。红外吸收谱研究预示了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。

关键词: 非晶硅薄膜 , 硼掺杂 , 等离子增强化学气相沉积

Opto-electronic properties of ZnSSe films for liquid crystal light valve

沈大可 , 韩高荣 , 杜丕一 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.002

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.

关键词: 分子束外延 , ZnSSe薄膜 , 光电特性 , 液晶光阀

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