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Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜

肖清泉 , 谢泉 , 沈向前 , 张晋敏 , 陈茜

功能材料

采用磁控溅射沉积方法制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理.采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征.研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响.结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件.在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致.

关键词: 半导体薄膜 , Mg2Si , 磁控溅射 , 热处理 , 表征

K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算

丰云 , 谢泉 , 高冉 , 沈向前 , 王永远 , 陈茜

材料热处理学报

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。

关键词: Ca2Si , 掺杂 , 电子结构 , 光学性质 , 第一性原理

La0.8-xCexMg0.2Ni3.5(x=0~0.20)贮氢合金电极的低温放电性能

沈向前 , 陈云贵 , 陶明大 , 吴超玲 , 王伟 , 邓刚 ,

稀有金属材料与工程

用冷坩埚磁悬浮熔炼炉制各La0.8-xCexMg0.2Ni3.5(x=0.0.05,0.10,0.15,0.20)贮氢电极合金,采用X射线衍射、三电极体系系统研究合金的微观结构和电化学性能.研究表明:合金为多相结构,主相均为Ce2Ni7型六方相,还包括Cacu5型六方相、PuNi3型菱方相;P-C-T曲线显示,随着Ce含最的增加,合金放氢平台区域变窄,平台压力升高.合金中各组成相单胞体积的减小是其主要原因.随着Ce含量的增加,合金常温最大放电容量逐渐减小并且循环稳定性有一定改善;低温最大放电容量则先增大后减小,合金的低温高倍率放电性能以及交换电流密度均随Ce含量的增加而增加,但氢扩散系数随着Ce含量的增加而减小.

关键词: A2B7型贮氢电极合金 , 相结构 , 低温电化学性能

载流摩擦磨损规律研究

孙乐民 , 沈向前 , 张永振

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.z1.040

在室温下,以Al基复合材料为销试样、以铬青铜QCr0.5为盘试样进行了载流状态下的干滑动摩擦磨损试验.通过对摩擦接触状态试验参数电流、速度、载荷对销试样磨损量影响规律进行的正交试验结果及分析表明,电流对磨损量的影响效果最为显著.通过对电流对材料磨损量影响的单因素试验结果表明,随着接触速度的增加,电流对磨损率的影响也增大.表明在高速列车运行状态下,电流是影响滑板/导线配副材料摩擦过程的重要因素.

关键词: 载流磨损 , 正交试验 , 电流 , Al基复合材料

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