蒲红斌
,
陈治明
,
李留臣
,
封先锋
,
张群社
,
沃立民
,
黄媛媛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.004
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.
关键词:
SiCGe
,
热壁CVD
,
感应加热
,
温度场
,
有限元
