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双稳态MEMS电磁微继电器响应速度的分析

汤学华 , 吉特

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.015

本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的新型双稳态电磁微继电器,并对影响其响应速度的因素进行了分析.测试后,结果表明,器件在运行过程中的脉冲间歇期间能够保持稳定状态而无需额外功耗;并且能够实现通过调节运行幅度,来提高器件的响应速度,最短的响应时间可以达到0.3ms.

关键词: 微机电系统 , 电磁微继电器 , 双稳态 , 响应速度

单折梁结构的水平式隧穿磁强计的仿真

胡晓莉 , 汤学华 , 尤政

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.058

水平式隧穿磁强计梁的结构设计可采用直梁和折叠梁.直梁结构质量弹簧系统的弹性系数可通过几何建模的方法确定,但折叠梁结构则难于采用该方法确定.本文以单折梁为例,采用有限元仿真,通过建立单折梁结构和直梁结构在受到相同外力时位移变化之间的关系,推导出单折梁结构的弹性系数和驱动电压计算公式.此外,通过分析单折梁结构和直梁结构的水平式隧穿磁强计1~4阶模态振型,发现单折梁结构的1~3阶模态的运动方向与直梁结构相同;单折梁结构第4阶模态的方向既有绕x轴的转动,也有绕Z轴的转动,绕z轴的转动为主要运动.

关键词: 隧穿磁强计 , 单折梁结构 , 有限元仿真

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