蔺云
,
介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分析的结果表明, CdZnTe厚膜中无明显的 Te 夹杂相；X 射线摇摆曲线、PL 谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的 CdZnTe 外延膜；电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
查钢强
,
汤三奇
,
谭婷婷
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对含氧空位单斜相HfO2的电子结构和光学性质进行了计算.计算结果表明,氧空位缺陷的存在使得HfO2带隙中出现了缺陷态,主要由最近邻Hf原子的5d态组成.随后,结合计算的电子态密度分析了氧空位对HfO2材料介电常数和吸收系数的影响.氧空位存在时,在380～220 nm的紫外波段内出现了较弱的吸收峰.
关键词:
单斜相HfO2
,
氧空位
,
电子结构
,
光学性质
