江风益
,
熊传兵
,
彭学新
,
王立
,
李述体
,
姚冬敏
,
莫春兰
,
李鹏
,
周毛兴
,
周力
,
吴蔚登
,
刘和初
材料导报
关键词:
刘卫华
,
李有群
,
方文卿
,
周毛兴
,
刘和初
,
莫春兰
,
王立
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
关键词:
Si衬底
,
GaN
,
LED
,
理想因子
李冬梅
,
李璠
,
苏宏波
,
王立
,
戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
,
江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
李述体
,
莫春兰
,
李鹏
,
王立
,
熊传兵
,
彭学新
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.
关键词:
MOCVD
,
GaN:Si
,
光致发光
肖宗湖
,
张萌
,
熊传兵
,
江风益
,
王光绪
,
熊贻婧
,
汪延明
人工晶体学报
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.
关键词:
Si衬底
,
InGaN/GaN
,
LED
,
裂纹
,
应力
周正有
,
罗广圣
,
吴本文
,
江风益
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2007.02.015
对ZnO与MnO2固相反应进行研究,当烧结温度超过1300℃和烧结时间超过12h,ZnO与MnO2固相反应生成ZnMnO3的四面体结构.对La1-xZnxMnO3材料的制备条件进行研究,对结构进行表征.研究结果表明,固相反应只与烧结温度和烧结时间有关,与压制压力没有太大关系.当烧结温度超过1300℃和烧结时间超过6h,X射线衍射谱表明都具有钙钛矿衍射峰,但掺杂浓度在50%～70%时有新的衍射峰,可能产生了新相,有待进一步深入研究.
关键词:
固相反应
,
钙钛矿结构
管志斌
,
王立
,
江风益
,
叶建青
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.024
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护 Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为 8.8?10-5 Ω cm2,表面平坦、稳定、易焊线 ,可应用于制作高性能的 GaN器件.
关键词:
两步镀膜Ti/Al/Ti/Au
,
GaN
,
欧姆接触
江元
,
李越湘
,
彭绍琴
,
江风益
功能材料
以Ti(SO4)2为原料,通过氨水水解法制备氮掺杂二氧化钛前驱体,煅烧前驱体制备氮掺杂纳米二氧化钛.用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、透射电镜、热重-差热分析和比表面等方法对制备的样品进行表征.以蓝色发光二极管为光源,用甲醛降解反应考察了光催化剂的活性.结果表明,制备的样品均为锐钛矿,氮掺杂使二氧化钛在可见光区的光吸收明显增强;低温烘干制备的催化剂相对高温烘干的具有较小的粒子尺寸和较大的比表面.烘干温度显著影响光催化性能,低温烘干的催化剂活性较高.
关键词:
氮掺杂
,
二氧化钛
,
光催化降解
,
甲醛
,
烘干温度
戴江南
,
王立
,
方文卿
,
蒲勇
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.006
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 ( FWHM)为 404arcsec,表明所生长的 ZnO膜具有相当一致的 C轴取向;其对称衍射( 0004)面ω- 2θ扫描半峰宽为 358arcsec,表明所生长的 ZnO单晶膜性能良好;同时,该 ZnO薄膜的非对称衍射 (1012)面ω扫描半峰宽为 420arcsec,表明所生长的 ZnO膜的位错密度为 108cm- 2,与具有器件质 量的 GaN材料相当.
关键词:
MOCVD
,
ZnO
,
GaN
,
X射线双晶衍射
李述体
,
江风益
,
范广涵
,
王立
,
莫春兰
,
方文卿
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.017
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.
关键词:
薄膜光学
,
GaN
,
卢瑟福背散射/沟道
,
X射线双晶衍射
,
光致发光
