裴素华
,
黄萍
,
张美娜
,
江玉清
稀有金属材料与工程
利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备.实验与理论表明:J1和J2结附近Ga的较小浓度梯度aj保证器件具有较高阻断耐压特性;J3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P2区内Ga较高的电导率-σ和J3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性.
关键词:
Ga
,
阶梯式分布
,
晶闸管
,
电学性能
裴素华
,
孙海波
,
张华
,
江玉清
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.009
从电导控制理论,对掺钇、硫酸根离子等多元化、微结构γ-Fe2O3的热稳定性、响应苯类气体敏感性及其对相邻气体的高选择性,进行了系统研究与机理分析,并用DTA、TEM、RQ-1等方法进行表征与测量.结果表明,掺入适量Y2O3后能使γ-Fe2O3的相变温度提高到618℃,从而改善γ-Fe2O3基气敏元件的热稳定性;硫酸根离子和金离子的适量掺杂有助于提高苯类气体的敏感特性;γ-Fe2O3基体材料的微细化可增强γ-Fe2O3的表面气敏特性.从而为苯类有机气体敏感元件研制提供了一条新途径.
关键词:
γ-Fe2O3
,
掺杂效应
,
苯类气体
裴素华
,
黄萍
,
张美娜
,
江玉清
稀有金属材料与工程
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造.由理论与实践得出:P1,P2区Ga的缓变分布及其与N1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的-σ,改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs.可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径.
关键词:
Ga高斯函数分布
,
快速晶闸管
,
电学性能
裴素华
,
孙海波
,
修显武
,
张晓华
,
江玉清
稀有金属材料与工程
用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.
关键词:
Ga
,
SiO2-Si结构
,
浓度分布
