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镀铂栅极抑制电子发射性能研究

蒋军 , 江炳尧 , 任琮欣 , 张福民 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌

稀有金属材料与工程

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.

关键词: 电子发射 , 离子束辅助沉积 , 钼栅极 , 铂膜

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

张宏 , 吴艺雄 , 王智河 , 周锷猷 , 任琮欣 , 江炳尧 , 牟海川 , 柳襄怀

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.007

用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBAD-YSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为~2×106A/cm2和~7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc 数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力.

关键词:

离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究

蒋军 , 江炳尧 , 郑志宏 , 任琮欣 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌

功能材料

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.

关键词: 抑制电子发射 , , 离子束辅助沉积 , 钼栅极

低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

江炳尧 , 蒋军 , 冯涛 , 任琮欣 , 张正选 , 宋志棠 , 柳襄怀 , 郑里平

功能材料

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.

关键词: 离子束辅助沉积 , Pt膜 , 择优取向

离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜

江炳尧 , 张福民 , 孙义林 , 陈酉善 , 柳襄怀

材料研究学报

利用离子束增强沉积工艺,在硅基片上制备Si3N4/Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明,N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74~1.84实验测得的多层滤波薄膜的红外反射谱与理论值相当接近

关键词: 红外干涉滤波膜 , Ion Beam Laboratory

离子束辅助沉积铂碳混合膜及其抑制栅电子发射性能

江炳尧 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.005

采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜.XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向.Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态.模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极.

关键词: 离子束辅助沉积 , 铂碳混合膜 , 栅电子发射

等离子体浸没式离子注入圆形薄片均匀性研究

江炳尧 , 郑望 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.016

采用PIC(Particalincall)方法考察了等离子体浸没式离子注入工艺中,样品和靶台的几何尺寸、形状及防止溅射沾污的绝缘材料对于注入离子径向分布的影响.并对模拟结果进行了讨论分析.结果表明,影响剂量分布的主要因素是基片和靶台的横向尺寸,为改善等离子体浸没式离子注入均匀性的研究提供参考数据.

关键词: PIII , PIC , 等离子鞘层

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