蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
江炳尧
,
蒋军
,
冯涛
,
任琮欣
,
张正选
,
宋志棠
,
柳襄怀
,
郑里平
功能材料
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.
关键词:
离子束辅助沉积
,
Pt膜
,
择优取向
江炳尧
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.005
采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜.XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择优取向.Raman谱的分析结果表明,碳基本上呈非晶状态.模拟二极管的实验表明,在纯钼阳极上镀覆铂碳混合膜,其抑制热电子发射的性能明显优于纯钼阳极.
关键词:
离子束辅助沉积
,
铂碳混合膜
,
栅电子发射