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Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究

毛旭 , 周湘萍 , 王勇 , 杨宇

功能材料

利用超高真空磁控溅射系统生长了不同偏压下Ge/Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境.通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge/Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度.在加15~25V偏压时,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料.

关键词: Ge/Si薄膜材料 , 偏压 , X射线小角衍射 , 磁控溅射

Ge/Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究

周湘萍 , 毛旭 , 张树波 , 杨宇

功能材料

用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后,能改善各层的晶体质量,得到较完整的多层膜的结构.

关键词: Raman光谱 , Ge/Si多层膜 , 退火

射频磁控溅射纳米SiC薄膜及其拉曼和红外分析

陈长青 , 毛旭 , 周祯来 , 陈刚 , 刘焕林 , 杨宇

功能材料

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析.结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级.通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性.

关键词: 磁控溅射 , 纳米碳化硅 , 红外吸收 , 拉曼吸收

大气细颗粒物(PM2.5)中多环芳烃的分析测定与污染特征

史纯珍 , 屈瑶 , 毛旭

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.08.2015042302

采集了北京西三环地区的PM2.5样品,利用超声提取(UE)-固相萃取法(SPE)分离富集得到PM2.5中的多环芳烃(PAHs),对不同的固定相及洗脱液比例进行PAHs回收率比较,得到最优预处理条件.建立了基于HPLC-UV的PM2.5中PAHs分析方法,定量检出17种典型PAHs.对2014年4月12日至2014年5月1日期间PM2.5中PAHs污染特征进行分析,结果显示,PAHs总浓度(∑PAHs)范围为2.6-145.7 ng· m-3,平均浓度为32.2 ng· m-3,不同环数PAHs所占比例顺序为5环>2环>3环>6环>4环,呈富5环的特征.PM25质量浓度与∑PAHs及苯并[a]芘(BaP)均呈现出良好的正相关性,R2分别为0.8和0.6.

关键词: PM2.5 , 多环芳烃 , HPLC , 污染特征

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