毛斐
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吴振兴
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汤皎宁
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王涵
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刘正楷
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龚晓钟
材料热处理学报
对N型Si80Ge20(P4)x及P型Si80Ge20Bx固溶体合金的化学计量比进行了研究,采用已总结出的最佳工艺条件,制备了一系列N型、P型固溶体合金,并比较了各系列样品的热电性能.结果表明,x=1.5的N型Si80Ge20(P4)x固溶体合金具备良好的热电性能,与未掺杂Si80Ge20固溶体合金相比,最高热电优值ZT为0.651,提高了3.34倍.x=1.5的P型Si80Ge20Bx固溶体合金也具备较佳的热电性能,最高热电优值(ZT)值为0.538.
关键词:
热电材料
,
Si80Ge20
,
粉末冶金
,
热电性能
谷坤明
,
吕乐阳
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毛斐
,
虞烈
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汤皎宁
功能材料
采用ECR微波等离子体增强化学气相沉积的方法于C1H2/H2/Ar2等离子环境中在单晶Si(111)晶面上制备了不同厚度的DLC膜样品,研究了薄膜的厚度随沉积时间的变化及薄膜的硬度、内应力随厚度的变化关系.结果表明,在沉积时间变化范围内,厚度与沉积时间基本呈线性关系,沉积速率可达80nm/min;制备态样品存在的内应力先随厚度增加而增加,当薄膜内应力超过某临界值时将通过表面崩裂达到应力松弛效果,XRD测得基底Si(111)峰位偏移先随厚度增加而增加,随后变化趋于平缓,表明薄膜表面崩裂后内应力维持在一定水平,但薄膜的硬度测量值受到表面崩裂程度影响.
关键词:
ECR-CVD
,
DLC膜
,
内应力