季振国
,
冯丹丹
,
席俊华
,
毛启楠
,
袁苑
,
郝芳
,
陈敏梅
材料科学与工程学报
结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.
关键词:
X射线衍射
,
紫外-可见反射
,
无损检测
季振国
,
王君杰
,
毛启楠
,
席俊华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00323
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一. 实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜, 并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究. XRD分析结果表明, 射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好, (201)取向明显. I-V曲线测试结果表明, Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性. 通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现, 随着薄膜厚度的增加, 电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加. 对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构, 其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V, 符合存储器低电压工作的要求.
关键词:
Bi2O3薄膜
,
resistive switching
,
thickness dependence
季振国
,
张春萍
,
冯丹丹
,
柯伟青
,
毛启楠
材料科学与工程学报
利用溶胶-凝胶法制备了Zn_(1-x)Mg_xO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征.XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加.I-V特性曲线表明,基于Al/Zn_(1-x)Mg_xO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节.上述现象表明,Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中电子的本征跃迁有关.
关键词:
Zn_(1-x)Mg_xO
,
薄膜压敏电阻器
,
Mg掺杂
,
阈值电压
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
季振国
,
李铁强
,
席俊华
,
毛启楠
材料科学与工程学报
激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中.利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景.本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响.
关键词:
激光诱导击穿光谱
,
激光
,
紫外-可见光谱
,
元素检测
季振国
,
周荣福
,
毛启楠
,
霍丽娟
,
曹虹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
关键词:
透明半导体薄膜
,
锡锑氧化物
,
PN结
季振国
,
王君杰
,
毛启楠
,
席俊华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00323
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.Ⅰ-Ⅴ曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构Ⅰ-Ⅴ特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/A1结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4V,符合存储器低电压工作的要求.
关键词:
Bi2O3薄膜
,
电阻开关特性
,
薄膜厚度
田力
,
张晓勇
,
毛启楠
,
李学耕
,
于平荣
,
王东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140182
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:A1/Ni-A1结构的CIGS电池.实验研究了真空退火对电池性能的影响.通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91％提高到14.01％.进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代Vcu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升.
关键词:
CuInxGa1-xSe
,
退火
,
溅射后硒化
,
均匀性
,
同质结
毛启楠
,
李鹤
,
季振国
,
席俊华
,
张峻
,
孔哲
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150624
采用高温固相法制备得到Sr2MgSi2O7∶ Eu2+和Sr2MgSi2O7∶ Eu2+,Dy3+发光粉,并详细研究了Eu2+和Dy3+的掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响.所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu2+离子的4f65d→4f7电子能级跃迁.当Eu2+掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短.同时,发射峰的峰位随Eu2+浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱.Dy3+离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间.当其掺杂浓度超过10mol％时,Eu2+\Dy3+离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少.
关键词:
硅酸镁锶
,
发光性能
,
掺杂
,
浓度淬灭
