毕振兴
,
张之圣
,
胡明
,
樊攀峰
,
刘志刚
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.002
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料.
关键词:
PZT
,
直流对靶溅射
,
射频磁控溅射
,
锆钛酸铅薄膜
,
钙钛矿相
,
电滞回线
